K4B4G1646E-BCNB是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的DDR SDRAM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 显卡、 手机充电器、 烟雾报警器、 饮水机、 电饭煲 ，DDR SDRAM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：K4B4G1646E-BCNB
- 品牌：三星半导体(SAMSUNG)
- 分类：DDR SDRAM
- 参数：封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3 时钟频率(fc):1.066GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.425V~1.575V
应用场景
DDR SDRAM可应用场景，如 不间断电源（UPS）、 扫地机器人、 网卡、 电子手表、 音频功率放大器、 实验室离心机、 扫描仪、 蓝牙音箱 等，想要了解更多DDR SDRAM相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| K4A4G165WF-BCTD | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.6GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4B4G1646E-BMMA | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.28V~1.45V |
| K4U6E3S4AA-MGCL | 封装:FBGA-200 |
| K4B2G1646F-BYMA | 封装:FBGA-96(7.5x13.3) 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:2Gbit 工作电压:1.28V~1.45V |
| K4A8G165WB-BCRC | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4B4G1646E-BCNB | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3 时钟频率(fc):1.066GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.425V~1.575V |
| K4A4G165WE-BCRC | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.2GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4A8G165WC-BCTD | 封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V |
| K4UCE3Q4AB-MGCL | 封装:FBGA-200(15x10) 存储器构架(格式):SDRAMLPDDR4X 时钟频率(fc):2.133GHz 存储容量:64Gbit 工作电压:1.7V~1.95V |
| K4UBE3D4AB-MGCL | 封装:FBGA-200 |
