2N7000TA是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 汽车、 电磁炉、 数码相机、 手机充电器、 B超机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2N7000TA
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 RFID读写器、 显卡、 投影仪、 电子血压计袖带、 功放设备、 USB闪存盘、 智能家居控制器、 电子血压计 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| FDD8424H | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4 |
| NTJD4001NT1G | MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SOT363 |
| NDC7002N | MOS管 Dual N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=510mA RDS(ON)=2Ω@10V TSOT23-6 |
| 2N7000TA | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L |
| FQT7N10LTF | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=350mΩ@10V SOT223 |
| FDA24N50 | MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN |
| FQD13N10TM | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252 |
| FQA140N10 | 通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN |
| NTA4151PT1G | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA |
| NTMFS4C302NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=230A RDS(ON)=1.15mΩ@10V DFN5 |
