2N7002K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 触摸屏、 摄像头、 无线网卡、 计算机、 变压器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2N7002K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 射频连接器、 不间断电源（UPS）、 台式电脑主机、 调音台、 LED照明灯、 电子湿度计、 RFID读写器、 DVD播放器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE80H12D | MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W |
| NCE60H15A | N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE0224K | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE65T1K2F | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3 |
