2SK3476(TE12L,Q是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子血压手环、 安防摄像头、 移动硬盘、 耳机、 电子脱毛器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：2SK3476(TE12L,Q
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子书阅读器、 视频线材、 微处理器、 频谱分析仪、 智能插座、 电子体温计探头、 心电图仪、 无线网卡 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3J334R,LF(T | VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
| SSM3J132TU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3 |
| TPHR9003NL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8 |
| TK100E08N1,S1X(S | MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220 |
| SSM3J46CTB(TPL3) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
| TPH3R70APL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8 |
| 2SK3878 | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65 |
| 2SK3569 | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F |
| 2SK3476(TE12L,Q | MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A |
