ES1J_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

Name: ES1J_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

ES1J 型号参数

ES1J是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、投影仪、 CT扫描仪、电子驱蚊器、内存条，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如耳机、 X光机、扫地机器人、射频连接器、电磁炉、智能家居控制系统、电饭煲、热水器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FR107	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
ES1J	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
UF4007	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
FR207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV
MUR460	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.25V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@600V
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A
FR307	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV
RS1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
ES2DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A

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