ES2DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管

Name: ES2DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

ES2DB 型号参数

ES2DB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、电子按摩器、游戏机、整流器、液晶显示器，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如音频功率放大器、门禁系统、可编程逻辑控制器（PLC）、游戏机、万用表、电子灭蚊灯、电子签到系统、变压器等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
B240A	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A
RS2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
RS1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
US2MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
ES1J	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
HER207	封装:DO-15 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@800V
ES3DC	封装:SMC(DO-214AB)
US3MC	封装:SMC 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
FR107	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV

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