US1M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 耳机、 逆变器、 显示器、 功放设备、 遥控器 ，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：US1M
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：快恢复/高效率二极管
- 参数：封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
应用场景
快恢复/高效率二极管可应用场景，如 气体报警器、 交流电源、 笔记本电脑、 微处理器、 电源供应器、 投影仪、 空调、 电子净水器 等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| US2M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A |
| US1G | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A |
| B240A | 封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A |
| ES3DB | 封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A |
| RS1M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| ES1J | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A |
| RS2M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A |
| US1M | 封装:SMA 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| SOD1F7 | 封装:SOD-123 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A |
| UF4007 | 封装:DO-41 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
