ES3DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管

Name: ES3DB_MDD_辰达半导体_DO-214AA(SMB)_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

ES3DB 型号参数

ES3DB是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、吉他效果器、电子书阅读器、内存条、功放设备，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子脱毛器、功放器、电子搅拌器、光纤连接器、智能手表、 B超机、电源供应器、笔记本电脑等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
US1D	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
ES2DB	封装:DO-214AA(SMB) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:2A
FR307	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.3V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
HER308	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.7V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV
RS2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
RS1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
ES1J	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A
ES1D	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
US1MF	封装:SMAF 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A

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