US2M_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管

Name: US2M_MDD_辰达半导体_SMA_快恢复/高效率二极管
Brand: MDD

US2M 型号参数

US2M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的快恢复/高效率二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如内存条、智能音箱、逻辑分析仪、智能家居控制器、笔记本电脑，快恢复/高效率二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

快恢复/高效率二极管可应用场景，如电子血压手环、耳机、显卡、投影仪、电子体重秤、计算机、调音台、空调等，想要了解更多快恢复/高效率二极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
DSF1D E1D	封装:SOD-123FL 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1V@1A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:1A
RS1M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A
UF4007	封装:DO-41 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
B240A	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):550mV@3A 直流反向耐压(Vr):40V 整流电流:2A
US3MC	封装:SMC 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A
US2M	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
MUR4100	封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.8V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
US2MB	封装:SMB 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.65V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A
ES2J	封装:SMA(DO-214AC) 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.68V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A
US1G	封装:SMA 二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):400V 整流电流:1A

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