FDMS86101_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs

Name: FDMS86101_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs
Brand: ON

FDMS86101 型号参数

FDMS86101是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、电动自行车控制器、门禁系统、频谱分析仪、电子签到系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音响设备、心电图仪、调制解调器、智能音箱、电子温度计、红外感应器、摄像头、扬声器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
FDA28N50	通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FQPF4N90C	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=4.2Ω@10V TO220F
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
NTMFS5C628NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=3.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
NTR5105PT1G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=196mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
FQD13N10TM	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252

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