FDN342P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: FDN342P_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

FDN342P 型号参数

FDN342P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音频线材、逻辑分析仪、专用集成电路（ASIC）、扫地机器人、电子签到系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、机械硬盘、电饭煲、电子词典、音响设备、音响系统、实验室离心机、指纹识别器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTD3055-094T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=94mΩ@10V TO252
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
FQT1N60CTF-WS	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223
FDN352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=1.3A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23-3
NTZD3154NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563
FDS8984	MOSFET 2N-Channel VDS=30V ID=7A RDS(on)=23mΩ SOIC8_150MIL
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FQD13N10TM	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±25V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA

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