NTR4171PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: NTR4171PT1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

NTR4171PT1G 型号参数

NTR4171PT1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如话筒（麦克风）、录像机、智能音箱、电子美容仪、摩托车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动自行车控制器、交流电源、万用表、 CT扫描仪、触摸屏、打印机、微处理器、手机充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDA28N50	通孔 N 通道 500 V 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
FQD2N60CTM	表面贴装型 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252AA
NDS0610	表面贴装型 P 通道 60 V 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
FQA140N10	通孔 N 通道 100 V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
NTD2955T4G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=180mΩ@10V TO252
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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