FDA18N50_ON_安森美_TO3PN_MOSFETs

Name: FDA18N50_ON_安森美_TO3PN_MOSFETs
Brand: ON

FDA18N50 型号参数

FDA18N50是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP3播放器、 X光机、电动车、频谱分析仪、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、智能家居控制器、调音台、录像机、 MRI扫描仪、稳压电源、 LED照明灯、电子计算器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDV303N	表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
BSS84LT1G	SOT23 225mW
NDS355AN	表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
FDN342P	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@4.5V SOT23-3
FQT7N10LTF	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=350mΩ@10V SOT223
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
NTMFS5C612NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM

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