NTD6414ANT4G_ON_安森美_DPAK3_MOSFETs

Name: NTD6414ANT4G_ON_安森美_DPAK3_MOSFETs
Brand: ON

NTD6414ANT4G 型号参数

NTD6414ANT4G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机、 USB闪存盘、电子美容仪、冰箱、手机充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子广告牌、遥控器、电子净水器、电子加湿器、摄像机、音频线材、电子胎心监测仪、复印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTR4502PT1G	表面贴装型 P 通道 30 V 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
FDN359BN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
FDP075N15A-F102	通孔 N 通道 150 V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
NTZD3154NT1G	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563
FDC6305N	MOSFET–规定的双N沟道电源沟道2.5 V

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