NTD6414ANT4G_ON_安森美_DPAK3_MOSFETs

NTD6414ANT4G 型号参数

NTD6414ANT4G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子助听器、集成电路板、洗衣机、虚拟现实头盔、电子手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
FDMC6686P	表面贴装型 P 通道 20 V 18A（Ta），56A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
FCPF190N60	通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
FQA11N90C-F109	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=11A RDS(ON)=1.1Ω@10V TO3PN
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252

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