FDN352AP_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: FDN352AP_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

FDN352AP 型号参数

FDN352AP是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 RFID读写器、话筒（麦克风）、 OLED显示屏、电子秤、信号发生器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如打印机、气体报警器、实验室离心机、电子门禁卡、机器人、电子体重秤、录像机、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
NDS0610	表面贴装型 P 通道 60 V 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
FDS4435BZ	MOSFETs SOIC8_150MIL P沟道 VDDS=30V ID=8.8A
FDD16AN08A0	MOSFET N-Channel 75V 50A 16mΩ
FDD8896	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=94A RDS(ON)=5.7mΩ@10V TO252
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
FDB088N08	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=8.8mΩ@10V D2PAK
NTD5805NT4G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=51A RDS(ON)=9.5mΩ@10V TO252

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