FQT1N60CTF-WS_ON_安森美_SOT-223-3_MOSFETs

Name: FQT1N60CTF-WS_ON_安森美_SOT-223-3_MOSFETs
Brand: ON

FQT1N60CTF-WS 型号参数

FQT1N60CTF-WS是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手环、电路板、电子烤箱温度计、心电图仪、电子计算器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如调制解调器、手机充电器、电子温度计、电子血压计袖带、电动自行车充电器、吸尘器、蓝牙音箱、 3D打印机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
FQA9N90C	通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
FDN8601	表面贴装型 N 通道 100 V 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
FQU13N10LTU	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
FDMS6681Z	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
BSS84LT1G	SOT23 225mW
FDY3000NZ	VDS=20V ID=600mA PD=625mW 2 N-Channel SOT563 MOSFETs

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