FDMS86163P_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs

Name: FDMS86163P_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs
Brand: ON

FDMS86163P 型号参数

FDMS86163P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、扫地机器人、吉他效果器、电子阅读器、汽车电子控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子除螨仪、 RFID读写器、电子手表、 LCD显示屏、万用表、电子烤箱温度计、光纤连接器、无人机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
2N7000TA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
FDS3512	表面贴装型 N 通道 80 V 4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
NTD3055L104T4G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±15V ID=12A RDS(ON)=104mΩ@5V TO252
FQL40N50	通孔 N 通道 500 V 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264-3
NTR4171PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=2.2A RDS(ON)=75mΩ@10V SOT23
FDA70N20	通孔 N 通道 200 V 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
2V7002KT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380mA RDS(ON)=2.5Ω@4.5V SOT23-3

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