FDN357N_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

FDN357N 型号参数

FDN357N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如投影仪、网络适配器、电子脱毛器、安防摄像头、 USB闪存盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDC6305N	MOSFET–规定的双N沟道电源沟道2.5 V
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23
2V7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDN359BN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=46mΩ@10V SOT23-3
2N7000TA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5Ω@10V TO92-3L
FQB30N06LTM	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=35Ω@10V TO263
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
BVSS84LT1G	MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT23

型号相关

热门型号