NDC7002N_ON_安森美_SOT23-6_MOSFETs

Name: NDC7002N_ON_安森美_SOT23-6_MOSFETs
Brand: ON

NDC7002N 型号参数

NDC7002N是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、电子榨汁机、固态硬盘、电子体温计探头、电动自行车控制器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、 USB闪存盘、游戏机、烟雾报警器、智能手表、电子白板、内存条、 CT扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDN352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=1.3A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23-3
FCH072N60F	通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3
NVH4L020N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
FDN327N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=8A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23-3
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
FDS6690A	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=12.5mΩ@10V SOIC8_150MIL
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω

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