GBJ2510_MDD_辰达半导体_GBJ6_整流桥

Name: GBJ2510_MDD_辰达半导体_GBJ6_整流桥
Brand: MDD

GBJ2510 型号参数

GBJ2510是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子书阅读器、扫地机器人、电源供应器、智能家居控制系统、视频线材，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如电子手表、移动硬盘、声卡、台式电脑主机、安防监控系统、万用表、虚拟现实头盔、智能插座等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KBL406	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBL608	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@6A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@800V
GBJ2510	封装：GBJ 参数：VRM=800V，IO=8.0A，IFSM=200A，VF=1.0V，IR=10uA
GBJ5010	桥式整流器/整流桥 1kV 50A 1.1V@25A GBJ
GBU1010	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=10A，IFSM=220A，VF=1.1V，IR=10uA
GBU808	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
DB107S	封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
TT8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DB207S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBU406	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V

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