GBU808_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU808_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU808 型号参数

GBU808是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、智能插座、万用表、音响系统、电子体温计探头，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如信号发生器、智能手表、智能手机、电子广告牌、电子咖啡机、交流电源、逆变器、模拟信号处理器（ASP）等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
GBU2510	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBP310	封装：KBP 参数：VR=60V IF=2A VF=0.70V IR=500uA
RMSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.3V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
GBU806	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBL608	封装：KBL 参数：VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS
KBL406	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V
GBU1010	桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=10A，IFSM=220A，VF=1.1V，IR=10uA
KBU810	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@8A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBU606	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@600V
DB107	封装:DB 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):10uA@1kV

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