K4UBE3D4AB-MGCL_SAMSUNG_三星半导体_FBGA200_DDR SDRAM

Name: K4UBE3D4AB-MGCL_SAMSUNG_三星半导体_FBGA200_DDR SDRAM
Brand: SAMSUNG

K4UBE3D4AB-MGCL 型号参数

K4UBE3D4AB-MGCL是品牌SAMSUNG三星半导体，研发制造的DDR SDRAM产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、摄像机、万用表、冰箱、电子按摩器，DDR SDRAM与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

DDR SDRAM可应用场景，如 B超机、电子按摩器、网络适配器、单片机、音频线材、烟雾报警器、电饭煲、空调等，想要了解更多DDR SDRAM相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
K4A4G165WF-BCTD	封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.6GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.14V~1.26V
K4A8G165WB-BCRC	封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V
K4U6E3S4AA-MGCL	封装:FBGA-200
K4B4G1646E-BCNB	封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR3 时钟频率(fc):1.066GHz 存储容量:4Gbit 工作电压:1.425V~1.575V
K4UCE3Q4AB-MGCL	封装:FBGA-200(15x10) 存储器构架(格式):SDRAMLPDDR4X 时钟频率(fc):2.133GHz 存储容量:64Gbit 工作电压:1.7V~1.95V
K4A8G165WC-BCTD	封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.333GHz 存储容量:8Gbit 工作电压:1.14V~1.26V
K4F6E3S4HM-MGCJ	封装:FBGA-200 存储器构架(格式):SDRAMSLPDDR4 时钟频率(fc):1.867GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.7V~1.9V
K4AAG165WA-BCWE	封装:FBGA-96 存储器构架(格式):SDRAMDDR4 时钟频率(fc):1.6GHz 存储容量:16Gbit 工作电压:1.2V
K4B2G1646F-BCNB	封装:FBGA-96
K4B2G1646F-BYMA	封装:FBGA-96(7.5x13.3) 存储器构架(格式):SDRAMDDR3L 时钟频率(fc):933MHz 存储容量:2Gbit 工作电压:1.28V~1.45V

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