KIA840SD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: KIA840SD_KIA_可易亚_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: KIA

KIA840SD 型号参数

KIA840SD是品牌KIA可易亚，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、电子罗盘、万用表、可编程逻辑控制器（PLC）、 B超机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子书阅读器、 3D打印机、电动工具、电动车充电器、调音台、电子广告牌、声卡、音频功率放大器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KND3308A	80V 80A 120W 9mΩ@10V,30A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KNH9130A	N沟道漏源电压(Vdss)：300V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：150W
KND3306B	60V 80A 84.5W 8.5mΩ@10V,40A 4V@250uA N Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
KIA840SB	N沟道漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：100W TO263-3
KNB2710A	100V 160A 333W 5mΩ@10V,25A 4V@250uA N Channel TO263-3 MOSFETs ROHS
KIA50N03BD	50A 30V K N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA3401	-4.0A，-30V P-沟道 MOSFET SOT23
KNY3403B	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：71W
KIA6035AD	11A, 350V N-沟道 MOSFET TO252-3
KIA50N06BD	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V

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