Name: MUN2111T1G_ON_安森美_SC59_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN2111T1G 型号参数

MUN2111T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 RFID读写器、手机充电器、 CT扫描仪、微处理器、智能家居控制系统，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

带预偏置三极管可应用场景，如汽车电子控制系统、安防摄像头、摩托车、电子胎心监测仪、耳机、整流器、蓝牙耳机、电动自行车充电器等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5313DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MMUN2132LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=15 P=400mW SOT23
MUN5233DW1T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23