MUN5214DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

Name: MUN5214DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5214DW1T1G 型号参数

MUN5214DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子签到系统、稳压电源、 MRI扫描仪、遥控器、扫地机器人，带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如红外感应器、电子翻译器、 LCD显示屏、电子白板、人脸识别设备、电子咖啡机、内存条、安防监控系统等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2214LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MMUN2114LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5312DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MUN5214T1G	带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管
DTC124XET1G	数字晶体管（BRT）R1=22 KΩ，R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MMUN2112LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=60 P=400mW SOT23
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59

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