NCE01ND03S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 网卡、 电子温度计、 射频连接器、 MRI扫描仪、 B超机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE01ND03S
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 RFID读写器、 蓝牙音箱、 电饭煲、 电子湿度计、 智能手环、 MRI扫描仪、 电子厨房计时器、 计算机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCE6008AS | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCEP040N10D | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
| NCE2312 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
