NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs

Name: NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30P20Q 型号参数

NCE30P20Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烟雾报警器、饮水机、电子温度计、电子门禁卡、视频线材，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如信号发生器、智能家居控制器、触摸屏、电子温度计、交换机、网络适配器、智能手表、智能插座等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE6045XG
NCEP4090GU	NCEP4090GU
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE2333Y	P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W

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