NCE60H15A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE60H15A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60H15A 型号参数

NCE60H15A是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、 GPS定位器、安防摄像头、汽车、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子广告牌、电子秤、笔记本电脑、光纤连接器、电子脱毛器、平板电脑、万用表、电子体温计探头等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP018N85LL	NCEP018N85LL
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET

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