NCE3080K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED显示器、 手机、 人脸识别设备、 GPS定位器、 逻辑分析仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE3080K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 指纹识别器、 投影仪、 电子美容仪、 RFID读写器、 电子广告牌、 笔记本电脑、 触摸屏、 电子搅拌器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP6090AGU | MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L |
| NCE0103Y | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L |
| NCEP60T12AK | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 |
| NCE60H10K | MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE0130KA | TO252 SMT 100V 30A |
| NCEP01T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
