NCE60H10K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、 摩托车、 台式电脑主机、 血糖仪、 智能手环 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60H10K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 固态硬盘、 血糖仪、 饮水机、 电源供应器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 移动硬盘、 直流电源、 投影仪 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE30ND09S | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W |
| NCEP039N10D | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE3401AY | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.4A SOT23-3L |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
| NCE65T1K2F | MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3 |
