NCEP039N10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 手机、 LED照明灯、 万用表、 显卡、 音响设备 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP039N10D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 网卡、 交换机、 示波器、 射频连接器、 电动车充电器、 电子书阅读器、 数字信号处理器（DSP）、 智能手表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE2301 | 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ |
| NCEP1545G | MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP |
| NCE0103M | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE8295A | N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
