NCE65T540K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE65T540K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T540K 型号参数

NCE65T540K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如交换机、手机、智能家居控制系统、智能手环、电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、血糖仪、逻辑分析仪、显示器、复印机、电子空气净化器、电子助听器、电子书阅读器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE01ND03S	双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W

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