NCE60P82AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE60P82AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60P82AK 型号参数

NCE60P82AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电磁炉、音频功率放大器、电子胎心监测仪、集成电路板、电子计算器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如汽车、电动自行车充电器、计算机、指纹识别器、网卡、平板电脑、 RFID读写器、电子灭蚊灯等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE55P04S	2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET

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