NCE01H10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCE01H10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE01H10D 型号参数

NCE01H10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、 LCD显示屏、录像机、安防摄像头、调制解调器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如显卡、智能照明系统、 X光机、笔记本电脑、示波器、 B超机、电子血压计、蓝牙耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE30P15S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCE3065K	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE3420	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP018N85LL	NCEP018N85LL
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L

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