NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCE80H12D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE80H12D 型号参数

NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能插座、电子厨房计时器、电子按摩器、电子除湿机、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如台式电脑主机、音频信号处理器、电子体重秤、电子游戏机手柄、空调、电动工具、网络适配器、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL

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