NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 无线网卡、 逆变器、 冰箱、 红外感应器、 电子广告牌 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE80H12D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电动自行车控制器、 音频线材、 智能手表、 虚拟现实头盔、 稳压电源、 固态硬盘、 录像机、 扬声器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP1545G | MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE2333Y | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W |
| NCEP018N85LL | NCEP018N85LL |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
| NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W |
| NCEP85T25T | MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247 |
