NCE2333Y是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED照明灯、 烤箱、 单片机、 智能手机、 音频线材 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE2333Y
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 移动硬盘、 电动自行车充电器、 电子签到系统、 集成电路板、 电子胎心监测仪、 MP4播放器、 电子阅读器、 交流电源 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE6003M | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W |
| NCE65T260 | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W |
| NCE3050K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE2303 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W |
| NCE0103Y | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L |
| NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0208KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：55W |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
