NCE0157A2是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 蓝牙耳机、 固态硬盘、 OLED显示屏、 现场可编程门阵列（FPGA）、 可编程逻辑控制器（PLC） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE0157A2
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道增强型功率MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子血压计袖带、 GPS定位器、 洗衣机、 OLED显示屏、 吉他效果器、 电动自行车、 智能照明系统、 音频功率放大器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3020Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| NCE3050 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE80H12D | MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
| NCE01P13K | MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W |
| NCE60H10K | MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
