NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: NCEP30T21GU_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP30T21GU 型号参数

NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电磁炉、笔记本电脑、交流电源、现场可编程门阵列（FPGA）、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网卡、信号发生器、电子空气净化器、游戏机、烤箱、电子助听器、路由器、话筒（麦克风）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE0102	N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE60P82AK	MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W

型号相关

热门型号