NCE60H10K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子词典、 智能家居控制系统、 电路板、 扬声器、 无线网卡 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60H10K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel TO252-2L Vds=60V Vgs=±20V Id=100A Pd=170W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 微波炉、 电子温度计、 电子体重秤、 手机、 汽车电子控制系统、 笔记本电脑、 移动硬盘、 智能手机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCEP01T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCE0103Y | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L |
| NCEP6090AGU | MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L |
| NCE3080KA | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0205IA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W |
| NCE3010S | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL |
| NCEP1545G | MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP |
