NCEP6090AGU是品牌NCE无锡新功率,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 血糖仪、 视频线材、 智能插座、 电子咖啡机、 电路板 ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:NCEP6090AGU
- 品牌:无锡新功率(NCE)
- 分类:MOSFETs
- 参数:MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
应用场景
MOSFETs可应用场景,如 空调、 智能门锁、 心电图仪、 音响系统、 电动自行车控制器、 智能手机、 电动自行车、 电子胎心监测仪 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2N7002K | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE6003M | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.7W |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):145W |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
| NCE60P04Y | MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3 |
| NCE2303 | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1W |