NCE60ND18G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 门禁系统、 功放器、 MRI扫描仪、 吸尘器、 电子加湿器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60ND18G
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 烟雾报警器、 MP4播放器、 智能手表、 心电图仪、 光纤连接器、 数码相机、 移动硬盘、 录像机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
| NCE0140KA | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE3404 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
| NCE65T540K | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W |
| NCE0205IA | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：78W |
| NCE6045XG | |
