NCE3065K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

NCE3065K 型号参数

NCE3065K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、电子美容仪、无人机、音频信号处理器、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE6003X	MOSFETs N-沟道 SOT23-3 Vds=60V Id=3A Pd=1.7W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCE6045XG
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L

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