NCE55P04S_NCE_无锡新功率_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: NCE55P04S_NCE_无锡新功率_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: NCE

NCE55P04S 型号参数

NCE55P04S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门锁、虚拟现实头盔、电子除湿机、电动车、音响设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、电子空气净化器、音频功率放大器、电子搅拌器、功放设备、电动工具、电视机、 MRI扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE3404	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

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