NCE30P15S是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能安防摄像头、 电子广告牌、 扬声器、 红外感应器、 射频连接器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30P15S
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子助听器、 音响设备、 空调、 电子体温计探头、 电子驱蚊器、 触摸屏、 显卡、 GPS定位器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE4080 | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L |
| NCEP85T25T | MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247 |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE9926 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.25W |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCE30H12 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W |
| NCE65T360K | N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W |
| NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W |
