NCE40H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE40H12_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE40H12 型号参数

NCE40H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如单片机、电磁炉、示波器、交流电源、电子湿度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如人脸识别设备、 LCD显示屏、 MRI扫描仪、电子手表、电子游戏机手柄、扫地机器人、 MP3播放器、蓝牙耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE603S	N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL
NCE6080A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2060K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE70T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L

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