NCE40H12是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子血压手环、 集成电路板、 电子助听器、 电子广告牌、 红外感应器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE40H12
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道增强型功率MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电饭煲、 摄像机、 智能插座、 电动车、 电动自行车、 指纹识别器、 投影仪、 电子门锁 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCEP40T11G | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W |
| NCEP0114AS | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0110AK | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCE40H12 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP6090AGU | MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCE2312 | N沟道增强型功率MOSFET |
