NCE65TF099T_NCE_无锡新功率_TO-247_MOSFETs

Name: NCE65TF099T_NCE_无锡新功率_TO-247_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65TF099T 型号参数

NCE65TF099T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子湿度计、电子气压计、信号发生器、电子计算器、电子罗盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手机、电子咖啡机、 B超机、心电图仪、 X光机、路由器、 CT扫描仪、电子阅读器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP30T21GU	超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE0117	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247

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