NCE65T900F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs

Name: NCE65T900F_NCE_无锡新功率_TO220F_MOSFETs
Brand: NCE

NCE65T900F 型号参数

NCE65T900F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如无线网卡、直流电源、电子游戏机手柄、电子净水器、智能家居控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制器、洗衣机、扬声器、电子书阅读器、智能手环、电子血压计、整流器、蓝牙耳机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCE65T360K	N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCEP60T18	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP60T15G	MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM

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