NCEP60T12AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 路由器、 电子湿度计、 数码相机、 电子厨房计时器、 智能插座 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP60T12AK
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 LCD显示屏、 扫描仪、 电视机、 B超机、 变压器、 万用表、 摄像机、 智能手表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
| NCE2312 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30P20Q | MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A |
| NCE0224K | N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
| NCE3020Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W |
| NCE20P45Q | MOSFETs 1个P沟道 耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM |
| NCE3090K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCEP023N10T | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247 |
