NCEP60T12AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCEP60T12AK_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP60T12AK 型号参数

NCEP60T12AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能照明系统、 GPS定位器、冰箱、电子除螨仪、扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制系统、扫地机器人、 LCD显示屏、电子体重秤、视频线材、逻辑分析仪、电路板、汽车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE80H12D	MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
NCE3007S	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W
NCE40H12	N沟道增强型功率MOSFET
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCE7190A	N沟道漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE0224K	N沟道漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：150W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247

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