NTR1P02T1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs

Name: NTR1P02T1G_ON_安森美_SOT-23_MOSFETs
Brand: ON

NTR1P02T1G 型号参数

NTR1P02T1G是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如路由器、集成电路板、显卡、无线网卡、计算机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如逆变器、游戏机、视频线材、逻辑分析仪、触摸屏、电子厨房计时器、饮水机、音响设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDS6898A	MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 9.4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
NTGS4141NT1G	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=7A TSOP6
FDMS86101DC	表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
NTF3055-100T1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=3A SOT223
FQA9N90C-F109	MOSFET N-Channel 900V 9A 1.4Ω
2V7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3
FDS6675BZ	表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
FDV303N	表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NTR5105PT1G	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=196mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23

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