FDD8424H_ON_安森美_TO252-4_MOSFETs

FDD8424H 型号参数

FDD8424H是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、电子空气净化器、指纹识别器、遥控器、 X光机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：FDD8424H
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4

MOSFETs可应用场景，如智能手机、电动自行车、视频线材、音响设备、手机充电器、 RFID读写器、烤箱、扫描仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQA9N90C	通孔 N 通道 900 V 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
NTMFS5C628NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=150A RDS(ON)=3.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
2N7002ET1G	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3
NTMFS5C430NLT1G	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=200A RDS(ON)=2.2mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM
BVSS84LT1G	MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT23
FDS8984	MOSFET 2N-Channel VDS=30V ID=7A RDS(on)=23mΩ SOIC8_150MIL
FQB30N06LTM	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=35Ω@10V TO263
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA

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